Micron descarta la DRAM 4F² y apuesta por un enfoque de memoria 3D

Micron anunció en el webinar tecnológico que celebró el 21 de octubre que no convertirá el diseño de celda DRAM 4F² en un producto comercial. Scott DeBoer, presidente de la compañía y responsable de tecnología y productos, explicó que Micron no incluirá en su hoja de ruta de fabricación esta estructura, que lleva investigando desde hace aproximadamente veinte años. En su lugar, seguirá desarrollando el enfoque DRAM 6F² y trabajando en tecnologías DRAM tridimensionales.

¿Qué promete la DRAM 4F²?

El área de una celda DRAM se define mediante la unidad «F», que representa la característica más pequeña que puede imprimirse durante el proceso de fabricación. En la disposición 6F² de uso común, la celda mide 3F de largo por 2F de ancho. En el diseño 4F², sus dimensiones se reducen a 2F × 2F; para lograrlo, el canal del transistor se coloca en vertical en lugar de horizontal.

Según los cálculos teóricos, esta disposición podría reducir aproximadamente en un tercio el área por celda frente a una estructura 6F². Sin embargo, según la evaluación de Micron, reducir el tamaño de la celda no implica por sí solo un aumento equivalente de la densidad de memoria. La distancia a la que pueden colocarse los condensadores también es uno de los factores que limitan la densidad total.

¿Por qué Micron elige otro camino?

Aunque Micron ha investigado la tecnología 4F² durante mucho tiempo, considera que la ventaja de área prevista no es suficiente en condiciones de fabricación reales. Según la compañía, las limitaciones derivadas de la disposición de los condensadores pueden reducir la ganancia que se obtendría al disminuir el tamaño de la celda. Por eso, en lugar de comercializar la tecnología 4F², Micron continuará con la disposición 6F² y apostará por la DRAM 3D.

Según la declaración del webinar recogida por TechPowerUp, Micron también señaló que podría fabricar el diseño 4F² a mayor coste en nodos de fabricación antiguos, pero que detecta problemas de escalado en los nodos avanzados. La misma fuente indica que la compañía lleva aproximadamente veinte años estudiando la estructura de celda con transistores de canal vertical. Esta decisión no significa que el sector en su conjunto haya abandonado el enfoque 4F²; las estrategias de otros fabricantes de memoria son diferentes.

Por separado de la noticia de TechPowerUp, la hoja de ruta de Micron recogida por SammyFans indica que está previsto iniciar la producción en serie de DRAM 1-delta en la planta de Boise durante la segunda mitad de 2027, y que la tecnología de wafer bonding se integrará en la fabricación en el siguiente nodo 1-epsilon. Este calendario es una información independiente sobre la hoja de ruta DRAM de Micron y no debe confundirse con la decisión sobre 4F².

Efectos en los flujos de trabajo de arquitectura, interiorismo y archviz

Este anuncio no comunica ningún cambio directo en el software de arquitectura y visualización ni en los archivos de proyecto. En la noticia sobre el webinar, Micron no compartió el precio ni la fecha de lanzamiento de ningún módulo de memoria concreto. La hoja de ruta mencionada por separado se refiere a los procesos de fabricación 1-delta y 1-epsilon; no especifica compatibilidad de productos ni requisitos de hardware para estaciones de trabajo.

Por tanto, no hay motivos concretos para que los estudios renueven sus equipos actuales basándose únicamente en la decisión sobre 4F². En la planificación de hardware, conviene guiarse por las cargas de trabajo existentes y los requisitos técnicos hasta que se publiquen datos verificados sobre nuevos productos de memoria y compatibilidad con aplicaciones. El cambio estratégico de Micron debe seguirse como una tendencia a largo plazo en la fabricación de memoria, más que como un ajuste inmediato en las estaciones de trabajo.