Micron abandonne la DRAM 4F² et se tourne vers la mémoire 3D

Lors d’un webinaire technologique organisé le 21 octobre, Micron a annoncé qu’il ne transformerait pas sa conception de cellule DRAM 4F² en produit commercial. Scott DeBoer, président de l’entreprise et responsable de la technologie et des produits, a expliqué que Micron n’intégrerait pas à sa feuille de route de production cette structure étudiée depuis près de vingt ans. L’entreprise poursuivra plutôt le développement de la DRAM 6F² et ses travaux sur les technologies de DRAM tridimensionnelle.

Que promet la DRAM 4F² ?

La surface d’une cellule DRAM est définie à l’aide de l’unité « F », qui désigne la plus petite caractéristique pouvant être imprimée dans un procédé de fabrication. Dans la configuration 6F² couramment utilisée aujourd’hui, une cellule mesure 3F de long sur 2F de large. La conception 4F² réduit ses dimensions à 2F × 2F ; pour cela, le canal du transistor est orienté verticalement plutôt qu’horizontalement.

En théorie, cette configuration peut réduire d’environ un tiers la surface par cellule par rapport à une structure 6F². Toutefois, selon l’analyse de Micron, réduire la taille des cellules ne se traduit pas à lui seul par une hausse équivalente de la densité mémoire. La proximité à laquelle les condensateurs peuvent être placés constitue également un facteur limitant.

Pourquoi Micron choisit-il une autre voie ?

Bien que Micron ait étudié la technologie 4F² pendant longtemps, l’entreprise estime que le gain de surface attendu n’est pas suffisant dans les conditions réelles de production. Selon elle, les contraintes liées au placement des condensateurs peuvent réduire les bénéfices obtenus en diminuant la taille des cellules. Micron préfère donc poursuivre avec la configuration 6F² et s’orienter vers la DRAM 3D plutôt que de commercialiser la technologie 4F².

D’après les déclarations faites lors du webinaire et rapportées par TechPowerUp, Micron pourrait produire la conception 4F² à un coût plus élevé sur d’anciens nœuds de fabrication, mais l’entreprise constate des problèmes de mise à l’échelle sur les nœuds avancés. La même source indique que l’entreprise étudie depuis près de vingt ans une structure de cellule à transistor à canal vertical. Cette décision ne signifie pas que l’approche 4F² est abandonnée par l’ensemble du secteur : les stratégies des autres fabricants de mémoire diffèrent.

Dans une feuille de route de Micron rapportée séparément par SammyFans, il est indiqué que la production en série de la DRAM 1-delta devrait commencer au second semestre 2027 dans l’usine de Boise, et que la technologie de wafer bonding sera intégrée à la production au nœud 1-epsilon suivant. Ce calendrier constitue une information distincte concernant la feuille de route DRAM de Micron ; il ne doit pas être confondu avec la décision relative à la technologie 4F².

Conséquences pour l’architecture, l’architecture d’intérieur et les workflows archviz

Cette annonce ne fait état d’aucun changement direct concernant les logiciels d’architecture et de visualisation ou les fichiers de projet. Dans son compte rendu du webinaire, Micron n’a communiqué ni prix ni date de commercialisation pour un module mémoire spécifique. La feuille de route rapportée séparément concerne les procédés de fabrication 1-delta et 1-epsilon ; elle ne précise ni la compatibilité des produits avec les stations de travail ni les exigences matérielles.

Les bureaux n’ont donc aucune raison concrète de renouveler leurs ordinateurs uniquement à la suite de la décision concernant la technologie 4F². Pour planifier les achats de matériel, mieux vaut s’appuyer sur les charges de travail actuelles et les besoins techniques jusqu’à la publication d’informations vérifiées sur les nouveaux produits mémoire et leur compatibilité avec les applications. Le changement de stratégie de Micron mérite d’être suivi en tant qu’évolution à long terme de la production de mémoire, plutôt que comme un ajustement à effectuer dès maintenant sur les stations de travail.